东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出面向工业设备的DCL54xx01A系列四通道高速标准数字隔离器，扩展数字隔离器产品线。该系列共10款新产品，采用SOIC16–W封装，最高工作温度可达125°C。即日起开始批量出货。 随着碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件的广泛应用，能够在高温条件下运行的工业设备设计已变得切实可行。然而，在隔离信号传输中，输入与输出之间的电气噪声可能导致故障，因此市场对于兼具高抗噪能力与高可靠性、并可实现稳定控制信号传输的隔离器件需求日
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数字隔离器
东芝
工业半导体
SiC/GaN
电机控制
采用氮化镓（GaN）场效应管的电源转换器，相比传统硅基场效应管，在转换效率与功率密度上实现大幅提升，但同时也带来了全新的设计难点。氮化镓器件开关速度极快，哪怕是微小的时序误差、电压偏差，都会被放大，进而影响设备性能与运行可靠性。氮化镓的开关跳变速度，已经超出传统控制方案与测量设备的能力范围。设计人员必须精准管控栅极电压，其安全工作区间通常仅为 + 6V ~ -4V；同时器件电压转换速率可超过 30V/ns，对电路控制要求极高。氮化镓场效应管本身的功耗远低于硅管。举例来说，采用 100V 规格氮化镓管搭建的
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氮化镓
GaN
场效应管
栅极驱动
自举电路
电磁干扰
LTC789x
Power Integrations研发的反激拓扑架构取得技术突破，将反激变换器的功率适用范围拓展至440 瓦，可有效降低系统成本、设计复杂度与开发周期，性能超越结构更复杂的传统谐振及 LLC 拓扑方案。TOPSwitchGaN 反激 IC 系列融合了公司自研PowiGaN 氮化镓技术与经典 TOPSwitch 芯片架构。全新拓扑不仅简化电路架构、缩短设计周期，还可让多数应用省去散热片。该系列器件堪称电源设计的根本性变革，把反激电源带入以往无法企及的功率区间，以极简架构实现高效率与高性能表现。TOPSwi
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PI
TOPSwitch
GaN
回激转换器
440W
美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科（Innoscience）侵犯了英飞凌的一项氮化镓（GaN）技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。不过，ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令，仍需经过为期60天的美国总统审查期后才能生效。而作为对终裁的回应，英诺赛科宣布，ITC在第337‑TA‑1414号调查中作出最终裁定，确认英诺赛科当前的GaN功率器件产品未侵犯英飞凌的相关专利，并可不受限制地继续在美国进口和销售。原文如下：ITC全体委员一致同意英
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GaN
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功率器件
英诺赛科
Innoscience
英飞凌
AI算力正以每3.4个月翻一番的速度狂飙，全球数据中心用电量持续攀升，预计到2030年将占全球耗电量的7%，电力已成为制约AI产业发展的核心瓶颈。单机柜功率从传统的5-8kW跃升至数百kW，GPU功耗不断突破上限，供电链路的损耗、散热压力与空间占用，成为算力扩张路上绕不开的难题。行业迫切需要一场供电架构革命，去年5月，英伟达率先给出了答案——自2027年起推动机架电源从54V直流全面转向800V高压直流架构，以支撑单机架功率超1MW的下一代超大规模AI算力部署。800V架构的核心价值，是通过提升母线电压大
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800V
GaN
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2026年4月15日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款新型航天级表面贴装共模扼流圈---SGCM05339，适用于严苛航空航天应用电磁干扰（EMI）滤波和噪声抑制。 Vishay定制磁芯SGCM05339是GaN和SiC开关应用的理想选择，这类应用的波形会出现锐边，导致电磁辐射干扰。共模扼流圈还可用于低电流立式电源、分布式电源系统DC/DC转换器，以及太阳能电池
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Vishay
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开关
EMI滤波
航天级
共模扼流圈
4 月 9 日，英特尔代工服务（Intel Foundry Services）宣布重大技术突破，成功研发出全球最薄氮化镓（GaN）芯粒。其硅衬底厚度仅19 微米，约为人类头发丝直径的 1/5。该芯粒基于300 毫米（12 英寸）硅基氮化镓晶圆制造，采用英特尔自研隐切减薄工艺，在实现极致超薄形态的同时，保持结构完整性与性能稳定性。更具突破性的是，团队首次实现氮化镓功率晶体管与硅基数字逻辑电路的单片集成。通过将复杂计算功能直接嵌入电源芯粒，无需额外辅助芯片，大幅简化系统架构并降低组件间能量损耗。性能测试结果显
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英特尔
氮化镓
GaN
芯粒
意法半导体（ST）发布两款全新高速半桥栅极驱动器，可将氮化镓（GaN）的高效性、热性能与小型化优势，广泛应用于各类电源及运动控制领域。STDRIVEG212 与 STDRIVEG612 可向增强型氮化镓高电子迁移率晶体管（eGaN HEMT）输出精准受控的 5V 栅极驱动信号，高端工作电压分别最高支持 220V 与 600V。两款驱动器集成度极高，在紧凑的 QFN 封装内集成了高端与低端 5V 线性稳压器（LDO）、高端自举二极管，以及欠压锁定（UVLO）等保护功能。内置的快速启动稳压器可稳定驱动器输出级
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STDRIVEG212
STDRIVEG612
意法半导体
氮化镓
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高速半桥栅极驱动器
很多人想不明白为何美国以军事用途为由列举出海量的半导体禁运名单中，其中绝大部分并不是最先进的处理器，而是很多看似工艺并不先进的模拟类芯片。半导体作为现代信息技术的基石，其技术迭代直接推动国防装备的性能跃升。从第一代硅（Si）半导体到第二代砷化镓（GaAs）半导体，再到以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的第三代宽禁带半导体，每一次材料体系的革新，都为国防军事装备带来革命性变化。与前两代半导体相比，第三代半导体具备高饱和电子迁移速率、高击穿电压、高热导率、抗辐射等核心优势，完美适配高温、高压、高频、大
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第三代半导体
SiC
GaN
硅基芯片
202603
全球各类行业会议正聚焦电源设计面临的功率密度挑战。从得克萨斯州奥斯汀举办的APEC 展会、本周在举办的英飞凌 AI 日，到前不久在圣何塞举办的GTC 大会，半导体厂商纷纷推出新方案，缩小电源系统体积、提升通流能力。一、Power Integrations：GaN 赋能反激电源，功率上探 450WPower Integrations（PI）采用更高效的氮化镓（GaN） 技术，升级其核心产品线TOPSwitch。这款经典单端反激转换器全球应用广泛，最新 GaN 版本将功率上限从250W 提升至 450W，可用
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AI数据中心
GaN
Power Integrations
德州仪器
IsoShield
英飞凌
瑞萨
据韩媒Theelec援引业界消息，三星电子（Samsung Electronics）正加速切入第三代半导体市场，其8寸氮化镓（GaN）晶圆代工产线已进入量产前准备阶段，预计最快将于2026年第2季正式投产。这一进展标志着三星在功率半导体领域迈出重要一步。 三星方面对GaN晶圆代工产线的具体启动时间和客户进展保持谨慎态度，仅回应称“无法确认”。不过，据业界透露，三星自宣布进军功率半导体代工市场以来，已历时3年，近期完成了量产技术与客户布局。尽管初期客户数量有限，市场预估GaN晶圆代工年营收规模可能
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三星
第三类半导体
8寸
GaN
法国 SOITEC 公司与新加坡南洋理工大学的研究人员报道，适度微缩的硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-on-Si HEMT）在 30GHz 工作时，功率附加效率（PAE）突破 60%。该器件同时实现了低至 1.1dB 的业界领先噪声系数。研究人员表示：“这些结果表明，结合优化的外延结构与工艺，适度微缩即可带来具备竞争力的技术方案。”研究团队认为，这类3–6V 低压射频器件适用于 5G 高频毫米波频段（FR2，24.25–71.0GHz）的单片集成移动收发（T/R）模块。5G 低频段 FR1：410–
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硅基氮化镓
GaN-on-Si
HEMT
5G毫米波
SOITEC
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，决定将自身拥有的GaN功率器件开发和制造技术，与合作伙伴台积公司（TSMC）的工艺技术相融合，在集团内部建立一体化生产体系。通过获得台积公司的GaN技术授权，罗姆将进一步增强相应产品的供应能力，从而满足AI服务器和电动汽车等领域对GaN产品日益增长的需求。 GaN功率器件具有优异的高电压和高频特性，有助于应用产品实现更高效率和更小体积，因此已被广泛应用于AC适配器等消费电子产品。此外，其在AI服务器的电源单元及电动汽车（EV）的车载充电器等
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罗姆
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功率器件
供应能力
● 至2030年，氮化镓（GaN）市场规模预计将达到30亿美元，年复合增长率高达44%● 英飞凌高压GaN双向开关采用变革性的共漏极设计与双栅极结构● GaN功率半导体拓展至AI、机器人、量子计算等新兴市场氮化镓（GaN）电源解决方案的普及正推动功率电子行业迎来一场重大变革。全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日发布《2026年GaN技术展望》，深度解析GaN的技术现状、应用场景及未来前景，为行业提供重要参考。英
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英飞凌
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氮化镓高速增长
热泵是以低排放电力为动力、经实践验证的安全可持续供暖方式，也是全球向安全可持续供暖转型的核心技术。尽管热泵的主要用途是供暖，但其逆循环功能使其可同时实现供暖与制冷。热泵能够回收余热并将其温度提升至更实用的水平，因此具备显著的节能潜力。加速推广热泵能带来多重效益：从全生命周期来看，热泵可为消费者节省开支，使其规避能源价格波动带来的影响；改用热泵供暖可减少温室气体排放，助力改善空气质量；为满足持续增长的需求，热泵制造与安装产业的规模扩张还将创造更多就业岗位。热泵室外机顶层拓扑结构下图为安森美 (onsemi)
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安森美
IPM
热泵
在全球AI浪潮高涨与绿色能源转型加速的双重驱动下，氮化镓（GaN）产业正步入关键的黄金增长期。根据TrendForce研究，全球GaN功率器件市场预计将从2024年的3.9亿美元快速增长至2030年的35.1亿美元，年复合增长率（CAGR）高达44%。在此高速扩张背景下，领先晶圆代工厂的战略调整正在重塑GaN产业链格局。尽管台积电（TSMC）正逐步退出GaN代工服务，但已通过技术授权协议，将其深厚的技术积累转移给合作伙伴——世界先进（VIS）与格芯（GlobalFoundries, GF）。此举不仅推动产
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台积电
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在传统横向结构的GaN器件中，电流沿芯片表面流动。而垂直 GaN 的 GaN 层生长在氮化镓衬底上，其独特结构使电流能直接从芯片顶部流到底部，而不是仅在表面流动。这种垂直电流路径让器件能够承受更高的电压和更大的电流，从而实现更高的功率密度、更高的效率和更紧凑的系统设计。垂直架构：功率技术新高度垂直 GaN 创新：vGaN 支持高电压和高频率运行， 效率优于硅芯片先进制造工厂：GaN 研发工作在占地 66,000 平方英尺、 配备 GaN 生产专用工具的洁净室设施中进行专有 GaN 生长工艺：工程师借助安森
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安森美
GaN
功率器件
本文详细讨论了GaN技术，解释了如何在开关模式电源中使用此类宽禁带开关，介绍了电路示例，并阐述了使用专用GaN驱动器和控制器的优势。而且，文中展示了LTspice®工具，以帮助理解GaN开关在电源中的使用情况。最后，展望了GaN技术的未来。
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开关模式电源
氮化镓
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ADI
太阳能系统的发展势头越来越强，光伏逆变器的性能是技术创新的核心。设计该项光伏逆变器旨在尽可能高效地利用太阳能。其中一项创新涉及使用氮化镓 (GaN)。氮化镓正在快速取代硅 (Si) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系统。GaN 不仅能提高太阳能系统的性能，也能提升整个系统的效率，此外，在保证缩小系统尺寸的同时，还能降低热损耗、易于安装和降低成本。比较 GaN、SiC 和 IGBTGaN 凭借其每个裸片区更优的电阻（Rsp）、更低的输入输出电容（Ciss 和 Coss）以及零反向恢复电荷等特性，显著提升了
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TOLL GaN
太阳能系统
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德州仪器
太阳能系统的发展势头越来越强，光伏逆变器的性能是技术创新的核心。设计该项光伏逆变器旨在尽可能高效地利用太阳能。其中一项创新涉及使用氮化镓 (GaN)。氮化镓正在快速取代硅 (Si) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系统。GaN 不仅能提高太阳能系统的性能，也能提升整个系统的效率，此外，在保证缩小系统尺寸的同时，还能降低热损耗、易于安装和降低成本。比较 GaN、SiC 和 IGBTGaN 凭借其每个裸片区更优的电阻（Rsp）、更低的输入输出电容（Ciss 和 Coss）以及零反向恢复电荷等特性，显著提升了
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TI
TOLL
GaN
● 美国国际贸易委员会的最终裁定可能导致英诺赛科涉嫌侵权的产品被禁止进口至美国● 该裁决是又一项积极结果，彰显了英飞凌在业界领先的专利组合的价值● 氮化镓 (GaN) 在实现高性能、高能效功率系统方面发挥着关键作用英飞凌300mm GaN技术美国国际贸易委员会（ITC）裁定英诺赛科侵犯了英飞凌科技股份公司拥有的一项氮化镓（GaN）技术专利1。此外，在初步裁定中，美国国际贸易委员会确认，英飞凌在向该委员会提起的诉讼中
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美国国际贸易委员会
英飞凌
英诺赛科
专利侵权案
GaN
意法半导体发布了新的智能电源组件，使家用电器和工业驱动能够利用最新的氮化镓技术，提升能源效率、性能提升并节省成本。市场上的氮化镓电源适配器和充电器能够承受笔记本电脑和USB-C快充所需的足够功率，实现极高效率以满足严格的生态设计规范。ST最新的氮化镓集成电路使该技术适用于洗衣机、吹风机、电动工具和工厂自动化等产品的电机驱动。意法半导体应用专用产品部门总经理多梅尼科·阿里戈表示：“我们的新GaNSPIN系统封装平台通过引入优化系统性能和保障可靠性的特殊功能，释放了运动控制应用中的宽带隙效率提升。”“这些新设
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ST
运动控制
GaN
集成电路平台
意法半导体发布了新的智能电力组件，使家用电器和工业驱动能够利用最新的氮化镓（氮化镓）技术，提升能源效率、性能提升并节省成本。市场上的氮化镓电源适配器和充电器能够承受笔记本电脑和USB-C快充所需的足够功率，实现极高效率以满足严格的生态设计规范。ST最新的氮化镓集成电路使该技术适用于洗衣机、吹风机、电动工具和工厂自动化等产品的电机驱动。 意法半导体应用专用产品部总经理Domenico Arrigo表示：“我们的新GaNSPIN系统封装平台通过引入优化系统性能和保障可靠性的特殊功能，释放了运动控制应
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意法半导体
GaN ICs
运动控制
全球运动控制与节能系统电源及传感解决方案领导者之一Allegro MicroSystems, Inc. (以下简称“Allegro”，纳斯达克股票代码：ALGM)，与全球领先的硅基氮化镓制造供应商英诺赛科 (Innoscience，港交所：-2577.HK) 宣布达成战略合作，推出了一款开创性的 4.2kW 全 GaN 参考设计，该设计采用了 Allegro 的先进栅极驱动器技术和英诺赛科高性能氮化镓。这一创新解决方
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Allegro
英诺赛科
GaN
AI数据中心电源
数据中心电源
电力电子产品的销售额预计将在这十年及以后飙升。推动这一趋势的是电动汽车产量的增加和数据中心的增长，由于人工智能的采用，数据中心的电力需求更加苛刻。对于使用电力电子的每种应用，提高其效率都是有益的。收益可能包括增加行驶里程、减少电费、减少供暖和减少碳足迹。由于卓越的效率带来的这些优势，基于宽禁带半导体的器件越来越多地被采用。到目前为止，基于 SiC 的 MOSFET 创造了最多的收入，其中 MOSFET 因赢得电动汽车部署而成为头条新闻。然而，尽管取得了很大的成功，SiC 器件也存在一些重大缺陷。它们包括
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屏蔽
开关速度
Yole 表示，到 2030 年，功率 GaN 器件市场预计将达到 30 亿美元，2024 年至 2030 年复合年增长率为 42%。消费电子产品是领先的采用者，功率氮化镓继续在快速充电器领域占据主导地位。尽管与 xEV 市场放缓相关的短期延迟，但汽车和移动出行领域正在出现新兴势头。预计 2024 年至 2030 年间，xEV GaN 需求将以 73% 的复合年增长率增长。 数据中心正在加速氮化镓的发展，因为它们对高效电力系统的需求，而氮化镓正在成为关键的推动者。与电信一起，数据中心在
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Yole
GaN
复合年增长率
意法半导体的STDRIVEG210和STDRIVEG211半桥氮化镓(GaN)栅极驱动器是为工业或电信设备母线电压供电系统、72V电池系统和110V交流电源供电设备专门设计，电源轨额定最大电压220V，片上集成线性稳压器，为上下桥臂提供6V栅极驱动信号，拉电流和灌电流路径采用分开独立设计，可以灵活控制GaN 的开通和关断。STDRIVEG210 主打功率变换应用，例如，服务器电源、电池充电器、电源适配器、太阳能微型逆变器和功率优化器、LED灯具、USB-C电源。谐振和硬开关两种拓扑均适用，300ns启动时
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意法半导体
半桥栅极驱动器
GaN
近年来，工业电源市场对氮化镓(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高带隙器件的兴趣日益浓厚。GaN器件凭借显著降低的电荷特性，能够在较高开关频率下实现高功率密度，而MOSFET在相同条件下运行时会产生巨大的热损耗。在相同条件下，并联MOSFET并不能节省空间或提升效率，因此GaN FET成为一种颇具吸引力的技术。业界对GaN器件性能表现的关注，相应地催生了对各种GaN器件进行准确仿真以优化应用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型，针对GaN FET驱动进行了优化。借助
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LTspice
GaN
据相关报道，随着NVIDIA宣布AI服务器进入800V高电压供电时代，功率半导体领域迎来了新的技术竞争。氮化镓（GaN）作为宽能隙半导体的重要代表，正成为市场关注的核心。近年来，多家企业积极投入GaN技术的研发，使其应用范围从传统的消费性市场逐步拓展到高电压场景。尽管GaN目前在快速充电领域仍占据主导地位，但其在车用功率模块和AI服务器中的表现也日益受到重视。部分厂商甚至已开发出适用于1,000V以上环境的GaN技术，展现出广阔的应用前景。欧系厂商指出，GaN相比碳化硅（SiC）更易于与传统矽材料整合，这
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GaN
AI服务器
电源芯片
深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations近日发布一份新的技术白皮书，详解其PowiGaN™氮化镓技术能为下一代AI数据中心带来的显著优势。这份白皮书发布于圣何塞举行的2025年开放计算项目全球峰会(2025 OCP Global Summit)，其中介绍了1250V和1700V PowiGaN技术适用于800VDC供电架构的功能特性。峰会上，NVIDIA还就800VDC架构的最新进展进行了说明。Power Integrations正与NVIDIA合作，加速推动向8
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